главная   оптика   волоконная оптика   спектроскопия   лазеры   лазерные системы
 
     
 
Оптика /
  Тысячелетняя история развития оптики
  Природа света. Свойства электромагнитного излучения
  Законы оптики и оптические эффекты
  Компоненты оптических схем
  Оптические линзы
  Оптические призмы
  Оптические фильтры
  Фотоприемники
  Брэгговские структуры
  Электрооптические модуляторы
  Поляризационная оптика
  Светоотражатели
  Дифракционные решетки
  Оптические материалы
  Оптические системы
  Свет и энергетика
  Зрение
Волоконная оптика
Спектроскопия
Лазеры
Лазерные системы
Телекоммуникации и связь
 
Выставки и конференции
Новости науки и лазерной техники
 
О проекте
Ссылки

 

Элан

Электрооптические ячейки Покельса

В некоторых кристаллах наблюдается изменение показателей преломления прямо пропорционально величине приложенного электрического поля. Данное явление называется линейным электрооптическим (ЭО) эффектом или эффектом Покельса. Электрически наведенное двупреломление приводит к относительной фазовой задержке ортогонально поляризованных компонент проходящего через кристалл линейно поляризованного светового пучка в зависимости от величины приложенного к кристаллу напряжения. В общем случае это описывается тензором электрооптических коэффициентов и приводит к довольно громоздким выражениям. Однако во многих случаях вычисления упрощаются благодаря симметрии кристалла и специальному выбору направлений электрического  поля и распространения света относительно осей кристалла.

На практике применяются две основные конфигурации.

В продольной конфигурации световой пучок и электрическое поле параллельны. Например в широко применяемых кристаллах КDР и DКDР при распространении света вдоль оптической оси фазовая задержка будет равна Г = Πno3r63EL/λ, где no – показатель преломления, r63 – ЭО коэффициент, соответствующий выбранной конфигурации взаимодействия, Е – электрическое поле, L – длина кристалла, λ - длина световой волны.
Очевидно, фазовая задержка Г пропорциональна напряжению U = EL, приложенному к кристаллу. Этот случай называется фазовой модуляцией.  Если поместить кристалл между двумя скрещенными поляризаторами, выходная интенсивность будет подчиняться закону Малюса I = Iosin2 (Г/2), т.е. выходная интенсивность модулируется приложенным напряжением и в данном случае говорят об амплитудной модуляции. Максимальная выходная интенсивность достигается, когда фазовая задержка равна p (половина длины волны). Можно заметить, что соответствующее напряжение Up = λ/2 no3r63, т.е. определяется только длиной волны и свойствами материала.
В связи с этим Up или полуволновое напряжение часто используют как параметр, характеризующий эффективность материала для ЭО модуляции.
Продольная конфигурация практически полезна при модуляции широкоапертурных световых пучков и до сих пор широко применяется для кристаллов КДР и ДКДР, несмотря на некоторые проблемы, связанные с высокими управляющими напряжениями (до 10 кВт), с техническими сложностями нанесения прозрачных проводящих электродов или специальных кольцевых электродов для формирования продольного электрического поля, а также  необходимостью защиты этих гигроскопичных кристаллов от атмосферной влаги.

В поперечной конфигурации электрическое поле перпендикулярно световому пучку, что достигается нанесением электродов на две боковые грани кристалла. В этом случае фазовая задержка определяется не только приложенным напряжением, но также и геометрией кристалла. В дополнение к более простой конструкции электродов поперечная конфигурация позволяет снизить управляющее напряжение в число раз, определяемое отклонением длины кристалла L к его апертуре d (расстояние между электродами). Поэтому поперечная модуляция широко применяется для ряда кристаллов, таких, как LiNbO3, LiTaO3, BBO и КТР.
ЭО кристалл, необходимым образом ориентированный, отполированный, с нанесенными просветляющими покрытиями и электродами и смонтированный в специальную ячейку с выводами для подключения управляющего напряжения, иногда с добавлением поляризационных элементов (призма Глана или фазовая пластина) называется ячейкой Покельса. Для оптимального выбора кристалла для такой ячейки следует принимать во внимание много параметров: рабочий диапазон длин волн, оптическая мощность, диапазон управляющих напряжений и частот модуляции, диэлектрические потери и др.  

Кристаллы LiNbO3 и LiTaO3 являются негигроскопичными, химически и механически стабильными материалами с возможностью выращивания кристаллов оптического качества и крупных размеров при умеренной стоимости. Эти свойства в сочетании с широким диапазоном прозрачности и высокими ЭО коэффициентами обусловили широкое применение LiNbO3 и LiTaO3 для создания ячеек Покельса компактной и надежной конструкции для широкого спектра применений. Следует отдельно выделить ячейки для модуляции добротности лазерных резонаторов (лазерные затворы или electro – optic Q – switches), изготавливаемые из материала самого высокого качества, с минимальными искажениями волнового фронта и низкими световыми потерями за счет просветляющих покрытий с низким остаточным отражением. Возможно также изготовление ячеек с торцевыми гранями под углом Брюстера.

Ниже приводится краткое описание поперечных конфигураций ЭО ячеек на кристаллах LiNbO3 и LiTaO3.

Направление эл.поля

Направление света

Двупреломление

Полуволновое напряжение
Uπ

Uπ   для LiNbO3
λ = 632.8 nm, L=d

ll Z axis


ll X or Y
axis

Δn= no - ne +
+ ( ne3r33 - no3r13)/2


d
 .  __l_______   
L   ne3r33 - no3r13

3 kV

ll X axis

ll Z axis

Δn= no3r22


   d  .  __l___    
L     2no3r22

 

4 kV

Первая конфигурация обеспечивает меньшее полуволновое напряжение, однако, наличие собственного двупреломления кристалла обуславливает основное применение данной конфигурации для фазовой модуляции.

Вторая конфигурация свободна от собственного двупреломления кристалла и больше подходит для амплитудной модуляции или модуляции добротности, т.к. позволяет достичь более высокого контраста, благодаря лучшей однородности кристаллов вдоль оси Z. Для кристаллов LiTaO3 ЭО коэффициент r22 мал,  поэтому на практике используется только первая конфигурация с полуволновым напряжением как у LiNbO3. При создании внутрирезонаторных затворов на LiTaO3 собственное двупреломление может быть компенсировано за счет применения 2-х кристаллов идентичной длины с разворотом на 90° друг относительно друга.

ЭО коэффициенты LiNbO3 и LiTaO3 слабо зависят от длины волны, поэтому в видимой и ближней ИК областях полуволновое напряжение примерно пропорционально длине волны. Очень быстрое время отклика (теоретически до пикосекунд) является одним из основных преимуществ ЭО ячеек Покельса над другими типами оптических модуляторов. Но на практике возникают ограничения, связанные с емкостью ячейки и возникающими отсюда проблемами создания соответствующих генераторов управляющих напряжений (драйверов) для работы на высоких частотах (до 1 ГГц). Следует иметь в виду, что ЭО коэффициенты уменьшаются на высоких частотах. В приведенной таблице дано значение полуволнового напряжения для низкочастотного предела. В высокочастотном пределе оно возрастает примерно в 2 раза. На высоких частотах следует также принимать в расчет диэлектрические потери в кристалле.
К недостаткам, в определенной степени ограничивающим применение LiNbO3 в ячейках Покельса относится сравнительно  невысокая лучевая прочность (около 250 МВт/см2, λ = 1064 нм, 10 нс), а также наличие значительного пьезоэффекта в этом кристалле, приводящее к необходимости демпфирования механических резонансов ЭО ячейки. Лучевая прочность LiTaO3, а также MgO:LiNbO3 (ниобат лития, легированный MgO на уровне 5 – 6%) в 2 – 3 раза выше, чем у стандартного LiNbO3, выращенного из расплава конгруэнтного состава. В последнее время для модуляции добротности твердотельных лазеров с высокой импульсной мощностью успешно применяется кристалл ВВО.
Следует отметить, что электрооптические ячейки могут применяться не только для непосредственной модуляции светового потока, например, в лазерных системах, но и в качестве чувствительных элементов датчиков электрических полей (электрооптические сенсоры). В частности, для систем измерения высоких напряжений могут использоваться ячейки Покельса на кристаллах ортогерманата висмута (Bi4Ge3O12) с волоконным вводом – выводом светового излучения, обеспечивающее хорошую гальваническую развязку и высокую помехоустойчивость. Для аналогичных целей могут также применяться кристаллы Bi12GeO20 и Bi13SiO20.

http://elan-optics.com

 
Кафедра Лазерной техники БГТУ 'Военмех'

Онлайн-конвертер

             
  разработка сайта NINSIS   190005, Санкт-Петербург, ул. 1-я Красноармейская, д. 1
тел/факс: +7 (812) 316-49-09
www.laser-portal.ru