Для формирования условий синхронизации мод в оптоволоконных лазерах возможно использование полупроводниковых насыщаемых поглотителей (SESAM). Однако, параметры насыщаемых поглотителей для оптоволоконных лазеров отличаются от тех, которые необходимы для твердотельных лазеров. В частности, глубина модуляции должна быть больше, в частности из за того, что нелинейные эффекты и дисперсия проявляются сильнее, а также из за наличия паразитных отражений.
Более высокая глубины модуляции обычно может быть получена за счет использования множества тонких насыщаемых поглотителей или насыщаемых поглотителей на основе массива квантовых точек, нанесенных на отражающее зеркало. Однако в данном случае возникает проблема появления механических напряжений в связи с несовпадением постоянных кристаллических решеток поглотителя и волокна/решетки Брэгга. Данные напряжения могут менять параметры самого поглотителя, а также влиять на эксплуатационные характеристики структуры.
